BJT vs IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) və IGBT (İzolyasiya edilmiş Qapı Bipolyar Transistor) cərəyanları idarə etmək üçün istifadə edilən iki növ tranzistordur. Hər iki cihazda PN qovşaqları var və cihaz strukturunda fərqlidir. Hər ikisinin tranzistor olmasına baxmayaraq, onların xüsusiyyətlərində əhəmiyyətli fərqlər var.
BJT (Bipolyar qovşaq tranzistoru)
BJT iki PN qovşağından (p tipli yarımkeçirici və n tipli yarımkeçirici birləşdirərək edilən qovşaq) ibarət bir tranzistor növüdür. Bu iki qovşaq P-N-P və ya N-P-N sırası ilə üç yarımkeçirici parçanın birləşdirilməsindən istifadə etməklə formalaşır. Buna görə də PNP və NPN kimi tanınan iki növ BJT mövcuddur.
Bu üç yarımkeçirici hissəyə üç elektrod birləşdirilir və orta qurğu "əsas" adlanır. Digər iki keçid "emitent" və "kollektor"dur.
BJT-də böyük kollektor emitter (Ic) cərəyanı kiçik əsas emitter cərəyanı (IB) tərəfindən idarə olunur və bu xüsusiyyət gücləndiricilərin və ya açarların dizaynı üçün istifadə olunur. Buna görə də onu cari idarə olunan cihaz hesab etmək olar. BJT daha çox gücləndirici sxemlərdə istifadə olunur.
IGBT (İzolyasiya edilmiş Qapı Bipolyar Transistor)
IGBT "Emitter", "Kollektor" və "Qapı" kimi tanınan üç terminalı olan yarımkeçirici cihazdır. Bu, daha yüksək miqdarda gücü idarə edə bilən və daha yüksək kommutasiya sürətinə malik olan bir tranzistor növüdür. IGBT bazara 1980-ci illərdə təqdim edilib.
IGBT həm MOSFET, həm də bipolyar keçid tranzistorunun (BJT) birləşmiş xüsusiyyətlərinə malikdir. MOSFET kimi idarə olunan qapıdır və BJT kimi cari gərginlik xüsusiyyətlərinə malikdir. Buna görə də o, həm yüksək cərəyanla işləmə qabiliyyətinə, həm də idarəetmə asanlığına malikdir. IGBT modulları (bir sıra cihazlardan ibarətdir) kilovat gücü idarə edir.
BJT və IGBT arasındakı fərq
1. BJT cərəyanla idarə olunan cihazdır, IGBT isə qapı gərginliyi ilə idarə olunur
2. IGBT terminalları emitent, kollektor və qapı kimi tanınır, BJT isə emitent, kollektor və bazadan hazırlanır.
3. IGBT-lər BJT ilə müqayisədə enerjinin idarə edilməsində daha yaxşıdır
4. IGBT BJT və FET (Sahə Təsirli Transistor) kombinasiyası kimi qəbul edilə bilər
5. IGBT BJT ilə müqayisədə mürəkkəb cihaz quruluşuna malikdir
6. IGBT ilə müqayisədə BJT uzun tarixə malikdir
